Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 11: In-situ-Charakterisierung III

DS 11.5: Fachvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 10:30–10:45, H31

ELS/SPA-RHEED: In-situ-Charakterisierung der Oberflächenmorphologie und der elektronischen Eigenschaften von SiGe-Nanostrukturen — •Olaf Kirfel¹, Detlev Grützmacher¹, Bert Müller², Matthias Escher³ und Michael Merkel³ — ¹Labor für Mikro- und Nanotechnologie, Paul-Scherrer-Institut — ²Biokompatible Werkstoffe und Bauweisen, ETH Zürich — ³FOCUS GmbH

Das neue Gerät kombiniert hochaufgelöste Reflexionselektronenbeugung (SPA-RHEED)¹ und Energieverlustspektroskopie (ELS). Energiegefiltertes RHEED dient zur In-situ-Charakterisierung der Oberflächenmorphologie der SiGe Proben². Inelastische Elektronen werden dabei abgetrennt, obwohl diese wichtige Informationen über die elektronische Struktur der Probe enthalten. Mit dem neuen Gerät kann man diese inelastisch gestreuten Elektronen winkelaufgelöst untersuchen. Erste Messungen an Si(001)-2x1 zeigen bei einer Winkelauflösung von 0,3 mrad neben den dominierenden Oberflächenplasmonenverlusten weitere Verluste. Die erreichte Energieauflösung (FWHM des elastischen Peaks) liegt deutlich unterhalb von 1 eV bei einer Primärenergie von 3 keV.
¹ B.Müller, M.Henzler, Rev. Sci. Instrum. 66, 5232 (1995)
² B.Müller, M.Henzler, Surf. Sci. 389, 338 (1997)