Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Sonstiges II

DS 24.3: Fachvortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:30–17:45, H31

Einfluss von SiO₂ auf die Silicidreaktion von Co/Ti Doppelschichten mit Si(100) — •Heiko Hortenbach, G. Beddies, D.K. Sarkar, S. Teichert und H.-J. Hinneberg — TU-Chemnitz,Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Silicidschichten auf Si(100) mit atomar glatten Silicid-Silicium Grenzflächen erlangen für mikroelektronische Anwendungen zunehmende Bedeutung. Ein Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silicidschichten ist die Festphasenreaktion metallischer Doppelschichten (Co/Ti) mit Si(100) während einer Kurzzeittemperung. Es wurde der Einfluss ultradünner (0...3 nm) SiO₂-Schichten, zwischen der Doppelschicht und dem Siliciumsubstrat, auf das CoSi₂-Wachstum in Abhängigkeit von der Dicke der Oxidschicht und den Tempertemperaturen untersucht. Die Charakterisierun der Proben erfolgte mittels TEM, XRD, RBS sowie elektrischer Messungen.