Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 3: Harte Schichten III (c-BN)

DS 3.5: Fachvortrag

Montag, 27. März 2000, 12:00–12:15, H31

Strukturelle und elektronische Eigenschaften von c-BN:Si — •C. Ronning¹, A.D. Banks², B.L. McCarson², R. Schlesser², Z. Sitar², R.F. Davis², B.L. Ward² und R.J. Nemanich² — ¹Universität Göttingen, II. Physikalisches Institut, 37073 Göttingen — ²North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA

Da kubisches Bornitrid (c-BN) erfolgreich mit Silizium n-typ dotiert werden kann und weiterhin Schichten aus c-BN eine negative Elektronenaffinität (NEA) haben können, sind c-BN:Si Schichten besonders interesant für Feldemissionsanwendungen. Der Einbau von Silizium in BN-Schichten (BN:Si) wurde mit Hilfe von ionenunterstütztem Aufdampfen realisiert. Mit steigendem Si-Anteil wurde jedoch eine Änderung vom c-BN hin zum h-BN beobachtet. UPS-, Feldemissions- und FEED-Experimente zeigen, daß der beobachtete Elektronentransport und -emission durch Sprungleitfähigkeit zwischen lokalisierten Zuständen am Ferminiveau für undotierte Schichten sowie in den Bandausläufern des Valenzbandes für c-BN:Si erfolgt. Eine NEA wurde für undotierte c-BN-Schichten beobachtet, während diese Eigenschaft nach der Dotierung mit Silizium durch die Änderung hin zum h-BN verschwindet. Es wurde keine Verschiebung des Ferminiveaus in c-BN:Si-Schichten beobachtet, so daß eine n-typ Dotierung ausgeschlossen werden kann.