Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 37: Elektrische Eigenschaften

DS 37.1: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:15–17:30, H32

Dielektrische Relaxation und Ladungstransport in ferroelektrischen Strontium-Bismuth-Tantalat (SBT) Schichten — •H. Bachhofer^1,2, H. von Philipsborn², H. Reisinger¹, C. Dehm¹ und R. Waser³ — ¹Infineon Technologies AG, Memory Products, 81730 München — ²Universität Regensburg, Fakultät Physik, 93040 Regensburg — ³IFF, Forschungszentrum Jülich und RWTH Aachen, 52070 Aachen

Aufgrund zahlreicher Vorteile gegenüber anderen ferroelektrischen Materialien gilt SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) als aussichtsreichster Kandidat für den Einsatz in zukünftigen nichtflüchtigen, ferroelektrischen Speicheranwendungen, sog. FeRAMs (ferroelectric random access memories) [1]. Als bevorzugtes Elektrodenmaterial hat sich dabei Pt etabliert.
In dieser Arbeit wird die Stromantwort eines Pt/SBT/Pt-Kondensators unter Gleichspannung als Funktion der angelegten Spannung und Temperatur untersucht. Die Zeitabhängigkeit der gemessenen Stromdichte erlaubt, zwischen dielektrischer Relaxation und Stromtransport durch den Kondensator zu unterscheiden. Der Relaxationsstrom folgt dem universellen Curie-von-Schweidler-Gesetz, unabhängig von der ursprünglichen Polarisation des SBT. Der Leckstrom wird hinsichtlich seiner Übereinstimmung mit verschiedenen theoretischen Leitungsmechanismen untersucht.

[1] C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature 374, 627 (1995)