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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.4: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 17:15–17:30, H14

Reaktivierung von Wasserstoff-passivierten Al Akzeptoren in SiC: Experimente und Simulation — •Christian Hülsen, Norbert Achtziger, Jan Herold und Wolfgang Witthuhn — Inst.f.Festkörperphysik, Univ. Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Aluminium dotierte, p-Typ 4H-SiC epi-Schichten wurden mittels Niederenergie-Implantation von Wasserstoff passiviert/1/. Die Stabilität dieser Passivierung wurde in isothermen Ausheilschritten untersucht, wobei mittels einer in Sperrrichtung betriebenen Schottkydiode ein elektrisches Feld erzeugt wurde. Bei Temperaturen ab 470 K zeigt sich dabei eine Zunahme der elektrisch aktiven Akzeptorkonzentration im Bereich des angelegten E-Feldes und eine Abnahme in grösserer Tiefe. Diese Beobachtung en wurden bereits qualitativ erklärt als Dissoziation von Al-H Komplexen und anschliessender Ionendrift von offenbar positiv geladenem Wasserstoff /2/. Neue Messungen zeigen eine deutliche Abhängigkeit des Effekts vom Wasserstoffisotop (1H, 2H) und von der Akzeptorkonzentration. Die Ergebnisse werden mit Simulationsrechnungen verglichen, bei denen die Einzelprozesse Dissoziation, Diffusion, Ionendrift und Wiedereinfang an freien Akzeptoren berücksichtigt werden.
/1/ N.Achtziger, J.Grillenberger, W.Witthuhn, M.K.Linnarsson, M.Janson, and B.G.Svensson, Appl.Phys. Lett. 73(7), 945 (1998)
/2/ N.Achtziger, C.Hülsen, W.Witthuhn, M. K. Linnarsson, M. Janson, B.G. Svensson, phys. stat.sol.(b) 210, 395 (1998)