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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.23: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A
InAs-Quantenpunkte auf Si(100): Wachstumsuntersuchungen mittels hochaufgelöstem LEED und AFM — •W. Weigand1, M. Sokolowski1, E. Umbach1, L. Hansen2 und A. Waag2 — 1Exp. Physik II — 2Exp. Physik III, Univ. Würzburg, 97074 Würzburg
Besonders für der innovative optoelektronische Bauteile ist
es wichtig, gezielt Quantenpunkte zu wachsen. Um jedoch Wachstumsprozesse
solcher
Quantenpunkte zu
kontrollieren, benötigt man ein tieferes Verständis der
Wachstumsmechanismen und
der Zusammensetzung der Quantenpunkte. Deshalb untersuchen wir die
Entstehung von
InAs-Quantenpunkten auf Si(100)-Substraten.
Mittels hochaufgelöster niederenergetischer Elektronenbeugung
(SPA-LEED) und
Rasterkraftmikroskopie wurde das Wachstumsverhalten in
Abhängigkeit von
den Depositionsbedingungen studiert, um so Abweichungen vom klassischen
Stranski-Krastanov
Wachstum [1] zu detektieren. Im Vordergrund unserer Experimente steht der
Einfluß
des „Wetting-Layers “auf die Entwicklung der
Quantenpunkte. Die ersten
Untersuchungen mittels SPA-LEED zeigen keine Veränderung der
horizontalen Gitterkonstanten, jedoch konnten wir eine starke Variation
der
vertikalen Gitterkonstanten unterschiedlich starker InAs-Filme
entdecken.
(Gefördert durch die DFG)
[1] P.B. Joyce et al., Phys. Rev. B, 58, (1998) 15981