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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.64: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Magnetfeld-induzierter Metall-Isolator-Übergang in schmalen Engstellen — •Jörn Regul¹, Bernd Huneke¹, Ulrich Zeitler¹, Rolf J. Haug¹, Martin Lipinski² und Karl Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover — ²MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart

Wir berichten über Transporteigenschaften schmaler Engstellen

im senkrechten Magnetfeld. Die untersuchten Engstellen mit

Abmessungen zwischen einigen hundert nm und einigen µ m

wurden durch Aufwachsen einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur auf

ein geeignet vorstrukturiertes GaAs-Substrat hergestellt.

Transportmessungen an der Engstelle im senkrecht zur Stromrichtung

angelegten Magnetfeld zeigen einen Übergang vom metallischen

in den isolierenden Bereich bei einem jeweils spezifischen

Magnetfeld für verschiedene Elektronendichten in der Engstelle.

Die Verknüpfung von kritischem Feld und Elektronendichte der

Engstelle führt auf einen kritischen Füllfaktor, der für

verschiedene Proben einen Wert nahe Eins liefert. Es liegt deshalb

nahe, dieses Verhalten auf einen Metall-Isolator-Übergang durch

die Entleerung des letzten Landauniveaus innerhalb der Engstelle

zurückzuführen.