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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.74: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A
GaN basierende Laserdioden auf SiC Substraten — •Stefan Bader1, Hans-Jürgen Lugauer1, Berthold Hahn1, Alfred Lell1, Georg Brüderl1, Johannes Baur1, Dominik Eisert1, Manfred Scheubeck1, Sabine Heppel2, Andreas Hangleiter2 und Volker Härle1 — 1Osram Opto Semiconductors GmbH & Co OHG, 93049 Regensburg — 2Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, 38106 Braunschweig
Elektrisch gepumpte GaN-basierte Laserdioden mit GaInN-Mehrfachquantentrögen wurden demonstriert. Die Bauteile wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf SiC Substraten abgeschieden. Gewinngeführte Laser mit gespalten Spiegeln weisen bei gepulster Anregung und Raumtemperatur eine Schwellenstromdichte von weniger als 20 kA/cm2 bei einer Emissionswellenlänge von 420 nm auf. Zur schnellen Charakterisierung der Laserstrukturen werden die elektrooptischen Eigenschaften direkt ohne Strukturierung auf der Scheibe gemessen. Dazu ist nur die thermische Aktivierung der Magnesium-Akzeptoren sowie das Aufdampfen von Metallkontakten erforderlich. Zusammen mit einer optisch angeregten Gain-Messung ist eine grobe Abschätzung der Qualität der Epitaxie-Schicht hinsichtlich der späteren Lasertätigkeit möglich.