Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Optische Eigenschaften
HL 14.1: Talk
Tuesday, March 28, 2000, 09:30–09:45, H13
Direkte Abbildung der spektralen Emissionscharakteristik von InGaN/GaN LED- Teststrukturen mit Raster-Elektrolumineszenz-Mikroskopie — •S. Richter1, P. Fischer1, M. Zacharias1, J. Christen1, A. Dadgar1 und M. Heuken2 — 1Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — 2AIXTRON AG, Kackertstraße 15-17, 52072 Aachen
Die spektrale Emissionscharakteristik von InGaN/GaN- LED-Teststrukturen wird mittels spektral und räumlich hochaufgelöster Elektrolumineszenz-Mikroskopie in Abhängigkeit von der Injektionsstromdichte untersucht. Die Lumineszenzintensitätsverteilung und die räumliche Verteilung der Peakwellenlänge ermöglichen Aussagen *ber die Qualität der Kontakte und der aktiven Schicht sowie über die In-Fluktuation mit 1 Mikrometer lateraler Auflösung.
Das Emissionsmaximum der LED liegt im Bereich von 455 bis 460 nm. Mit Zunahme der Stromdichte wird eine lokale Wellenlängenverschiebung zu 465 nm beobachtet, verursacht durch höhere Injektionstromdichten und thermische Effekte. Das integrale Emissionsspektrum zeigt eine Blauverschiebung mit Erhöhung der Injektionsstromdichte. Die vorliegende Emissionscharakteristik wird in Hinsicht auf Bandfülleffekte und den Einfluß räumlicher Fluktuationen des Indium-Gehaltes diskutiert.
Vergleichende Photolumineszenzuntersuchungen bei 5 K ermöglichen eine Identifikation der Rekombinationsprozesse.