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HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.3: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:30–15:45, H14

Emissionsverhalten von roten oberflächen-emittierenden Lasern (VCSEL) — •Tabitha Ballmann, J. Schwarz, R. Butendeich, D. Graef, S. Schweizer und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart

Damit VCSEL Laseremission zeigen ist es wichtig, dass die

Cavity-Resonanz und das Maximum der Lumineszenz gut

übereinstimmen. Untersucht wird, inwieweit eine Verstimmung

der beiden für das Emissionsverhalten kritisch ist. Durch

Wachstumsinhomogenitäten auf der Probe entsteht eine

systematische Verschiebung der Cavity-Resonanz gegenüber

der Lumineszenz, deren Wellenlänge über die Waferoberfläche

relativ konstant ist. Bei entsprechender Einstellung der

Wachstumsbedingungen erhält man auf einer Probe Laser mit

positiver und negativer Verstimmung.
Die Verstimmung wurde aus dem Vergleich von

Kanten-Emissionsspektren zu Oberflächen-Emissionsspektren

bestimmt und betrug bis zu 20  nm. Anschliessend wurden

Leistungskennlinien in Abhängigkeit der Verstimmung gemessen.

Da die Verstimmung von der Temperatur abhängt, wurde auch

die Temperatur variiert (T=-15^∘C bis 70^∘C).