DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 18: Halbleiterlaser

HL 18.6: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 16:15–16:30, H14

Eigenschaften von AlGaAs/GaAs-Quantenkaskadenlasern — •Stefan Schmult1, Werner Wegscheider1, Jörg Raabe1, Gottfried Strasser2, Max Bichler3 und Gerhard Abstreiter31Universität Regensburg, Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, 93040 Regensburg — 2TU Wien,Festkörperelektronik, A-1040 Wien — 3Walter Schottky Institut, TU München, 85748 Garching

Auf GaAs-basierende Intersubbandlaser wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen die hohe strukturelle Qualität dieser Laser. Stimulierte Emission konnte bis zu Temperaturen von 140K nachgewiesen werden. Die in Streifenleitergeometrie strukturierten Laser mit unvergüteten Spaltflächen als Resonatorspiegel arbeiten bei Flüssigstickstofftemperatur mit einer Schwellstromdichte von 8kA/cm2. Die Emission ist multimodig mit einer Zentralwellenlänge von 8.6µm. Abhängig vom Design der Laser kann mit der Emission der gesamte MIR-Bereich abgedeckt werden. Der Vortrag beschreibt zusammenfassend Probleme der Strukturierung, Prozessierung und des Wachstums dieser Qunatenkaskadenlaser und legt die Gründe der Temperaturlimitierung dar.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg