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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften)

HL 25.1: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:00–16:15, H15

Vielteilchen-Effekte in InAs/GaAs Quantenpunkten — •F. Guffarth¹, R. Heitz¹, M. Grundmann¹, I. Mukhametzhanov², A. Madhukar² und D. Bimberg¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — ²Photonic Materials and Device Laboratory, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA

Es wurden Vielteilchen-Effekte in selbstorganisierten InAs/GaAs Quantenpunkten, welche mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen wurden, untersucht. Photolumineszenzspektren für Anregungsdichten bis zu 10 kW/cm² zeigen das sukzessive Sättigen der QD-Emissionslinien mit zunehmender Anregungsdichte, was auf state-filling-Effekte zurückzuführen ist. Darüber hinaus wird eine Rotverschiebung des Grundzustandes von bis zu 16 meV und eine deutliche Zunahme der Halbwertsbreite beobachtet. Die Ergebnisse werden mit der Coulomb-Wechselwirkung mehrerer Exzitonen in den Quantenpunkten erklärt, die zu einer von der Besetzungszahl abhängigen Rotverschiebung der Grundzustandsrekombination führen. Eine detaillierte Beschreibung der experimentellen Beobachtungen erfordert es, die statistische Besetzung der Quantenpunkte zu berücksichtigen.