Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: Bauelemente
HL 26.5: Vortrag
Mittwoch, 29. März 2000, 17:00–17:15, H13
Monolitisch integrierte Smart Pixels mit einer N-i-p-i-Struktur als Modulator — •A. Ullmann1, W. Fix1, M. Welker1, W. Geißelbrecht1, P. Velling2, W. Prost2, F.-J. Tegude2 und G.H. Döhler1 — 1Institut für Technische Physik 1, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel Str. 1, 91058 Erlangen — 2Elektrotechnik, Gerhard-Mercator Universität Duisburg, Lotharstr. 55, 47048 Duisburg
Wir berichteten über integrierte Smart Pixels, bestehend aus einem Empfänger mit hohem optoelektrischen Gain und einem elektro-optischen n-i-p-i Modulator. Der n-i-p-i Modulator wurde mittels epitaktischer Schattenmasken MBE hergestellt (ESM-MBE) und besitzt substratseitig einen AlAs/AlGaAs Braggreflektor. Der untere Teil der Schattenmaske besteht aus einer p-i-n-Struktur, aus der der Empfänger, bestehend aus photoleitendem Detektor und Referenzdiode, gefertigt wurde. Der Flächenbedarf pro Smart Pixel beträgt nur 50 µm x 50 µm. Mit optischen Schaltenergien von 1 pJ können optische Ausgansleistungen bis 1 mW mit einem Schaltkontrast von über 2 in einem Wellenlängenbereich von über 20 nm moduliert werden. Die Schaltzeiten sind niedrig, da die Kapazitäten der Empfänger und der Modulatoren klein sind. Die 3 dB Frequenzen liegen über 30 MHz.