Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.29: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchung der optischen Anisotropie von hexagonalen GaN und AlN — •S. Piekh¹, S. Shokhovets¹ und G. Gobsch² — ¹Minsk, Skaryna Prosp. 65, 220027 Minsk, Belarus — ²Institut für Physik, TU Ilmenau, Weimarer Str. 32, D-98693 Ilmenau

Es wurden Schichten von hexagonalen GaN und AlN auf 6H-SiC und Si(111) Substraten mittels MBE abgeschieden,

wobei die c-Achse parallel zur Wachstumsrichtung orientiert ist. Reflexionsmessungen mit s- und p-polarisiertem

Licht weisen eine Anisotropie des Brechungsindex der Schichten nach. Die Simulation der optischen Spektren und

Messungen an unterschiedlichen Proben ergeben, daß der Effekt der optischen Anisotropie wesentlich durch die

Rauhigkeit bzw. durch eine Interfaceschicht beeinflußt werden kann. Die Oberfläche und das Interface wurden mittels

AFM-, TEM- und Reflexionsmessungen unter normalem Lichteinfall untersucht. Die Ergebnisse wurden zur Aufstellung

eines geeigneten Modells zur Anpassung spektralellipsometrischer Meßdaten im Bereich 1.2-4.5 eV verwendet. Die

erhaltenen optischen Konstanten und deren Anisotropie stimmen mit verfügbaren Ergebnissen im Transparenzbereich

überein, die mit Hilfe der Prismen-Kopplung-Methode gemessen wurden.