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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.3: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Korrelation von DLTS und Photolumineszenz in Helium-implantiertem 6H-SiC — •T. Frank1, G. Pensl1, Song Bai2, R. P. Devaty2 und W. J. Choyke21Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Department of Physics and Astronomy, University of Pittsburgh, USA

Zur Untersuchung intrinsischer Defekte wurden 6H-SiC Proben mit unterschiedlichen He+-Flüssen implantiert und bei verschiedenen Temperaturen (7000C bis 17000C) ausgeheilt. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)- und Tieftemperatur-Photolumineszenz (TTPL)-Messungen wurden jeweils an identischen Proben durchgeführt. Aus der Korrelation zwischen DLTS Peak-Höhen und entsprechender auf die S0 (N-korreliert) bzw. A0 (Ti-korreliert) Peakhöhe normierten Linienhöhen in den TTPL Spektren (proportional zur Defekt-Konzentration) als Funktion des implantierten He-Flusses und der Ausheiltemperatur wird geschlossen, dass das E1/E2-Zentrum, welches in DLTS-Spektren beobachtet wird, und der DI-Defekt (Lν-Linien, ν=1, 2, 3), welcher in den TTPL-Spektren beobachtet wird, durch dasselbe Defekt-Zentrum erzeugt werden. Ein analoger Zusammenhang konnte für das Z1/Z2-Zentrum (DLTS) und den Defekt, der eine Linie bei der Wellenlänge von λ=4349Å in TTPL-Spektren verursacht, gefunden werden.

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