Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.37: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Röntgendiffraktometrie und Reflektometrie an AlGaN/GaN-Multiquantumwell-Strukturen — •Fabian Schulze¹, Jürgen Bläsing¹, Alois Krost¹, O. Schön², A. Alam² und M. Heuken² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — ²AIXTRON AG, Kackerstraße 15-17, D-52072 Aachen, Germany

Hochauflösende Verfahren der Röntgenfeinstrukturanalyse (HRXRD)ermöglichen durch Ausmessung von reziproken Gitterpunkten umfassende Aussagen zur Struktur von epitaktischen

Halbleiterschichtsystemen. Am Beispiel von AlGaN/GaN- Multi-

quantumwell-Schichtsystemen auf Saphir(0001)-Substraten werden

Messungen (Reciprocal Space Mapping) an symetrischen (0002), an

antisymmetrischen (20-24) und in-plane (20-20) Gitterpunkten,

sowie Rocking- und 2:1-scans vorgestellt. Diese liefern

Informationen zu den Schichtdicken, -verspannungen und

-konzentrationen. Sie werden ergänzt durch Messungen der

spekulären und nichtspekulären Reflektometrie (XRR,(0000)RSM), welche zusätzlich Aussagen zur Oberflächen- und

Interfacerauhigkeit, zu den Schichtdichten

und -dickenverhältnissen erlauben. Die pseudomorphen Schichtsysteme weisen Grenzflächenrauhigkeiten (rms)von unter 1nm auf.