Regensburg 2000 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.48: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
77Br(77Se) in InAs, ein DX-artiges Zentrum — •M. Risse1, R. Vianden1 und N. Ulbrich2 — 1Institut für Strahlen- und Kernphysik, Univ. Bonn — 2Abt. Nukleare Festkörperphysik, Univ. Leipzig
In verschieden vordotierten InAs Materialien (p-Typ, n-Typ, undotiert) ist durch α-Bestrahlung am Bonner Isochronzyklotron der Sondenkern 77Br(77Se) eingebracht worden (75As(α,2n)77Br). Nach isochronem Tempern wurden Untersuchungen mit der Methode der gestörten γγ - Winkelkorrelation (PAC) durchgeführt. Im Bereich von 500-650∘C befinden sich etwa 20% der Sondenatome bei n-Typ und undotierten Material in einer einheitlichen Umgebung und erfahren einen Feldgradienten (EFG) in <111> Richtung mit ∣VZZ∣=14· 1021 Vm−2. Nach 750∘C für 120s befindet sich in allen drei Materialien ein großer Teil der Sondenatome (zwischen 80-100%) in einer ungestörten Umgebung. Nach theoretischen Rechnungen von Dabrowski und Scheffler [1] sollten Doppeldonatoren in III-V Halbleitern ein metastabiles Defektverhalten ähnlich dem DX-Zentrum zeigen. Der eine Zustand entspräche demnach einem substitutionellen Einbau auf dem Arsenplatz (ungestörter Anteil) und der andere Zustand (die gestörte Situation) kann so interpretiert werden, daß ein dem 77Br(77Se) benachbartes Indiumatom entlang der <111> Achse ins Zwischengitter relaxiert. Erste ab inito Berechnungen der Elektronendichteverteilung im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie mit dem Programmpaket WIEN97 ergeben einen EFG von VZZ=-19,6· 1021 Vm−2 und η=0 bei einer Verlagerung des benachbarten Indiumatoms von 0,13 nm.
[1] J. Dabrowski, M. Scheffler, Mat. Sci. For. 83-87, pp. 735-750 (1992)