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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.48: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

⁷⁷Br(⁷⁷Se) in InAs, ein DX-artiges Zentrum — •M. Risse¹, R. Vianden¹ und N. Ulbrich² — ¹Institut für Strahlen- und Kernphysik, Univ. Bonn — ²Abt. Nukleare Festkörperphysik, Univ. Leipzig

In verschieden vordotierten InAs Materialien (p-Typ, n-Typ, undotiert) ist durch α-Bestrahlung am Bonner Isochronzyklotron der Sondenkern ⁷⁷Br(⁷⁷Se) eingebracht worden (⁷⁵As(α,2n)⁷⁷Br). Nach isochronem Tempern wurden Untersuchungen mit der Methode der gestörten γγ - Winkelkorrelation (PAC) durchgeführt. Im Bereich von 500-650^∘C befinden sich etwa 20% der Sondenatome bei n-Typ und undotierten Material in einer einheitlichen Umgebung und erfahren einen Feldgradienten (EFG) in <111> Richtung mit ∣V_ZZ∣=14· 10²¹ Vm⁻². Nach 750^∘C für 120s befindet sich in allen drei Materialien ein großer Teil der Sondenatome (zwischen 80-100%) in einer ungestörten Umgebung. Nach theoretischen Rechnungen von Dabrowski und Scheffler [1] sollten Doppeldonatoren in III-V Halbleitern ein metastabiles Defektverhalten ähnlich dem DX-Zentrum zeigen. Der eine Zustand entspräche demnach einem substitutionellen Einbau auf dem Arsenplatz (ungestörter Anteil) und der andere Zustand (die gestörte Situation) kann so interpretiert werden, daß ein dem ⁷⁷Br(⁷⁷Se) benachbartes Indiumatom entlang der <111> Achse ins Zwischengitter relaxiert. Erste ab inito Berechnungen der Elektronendichteverteilung im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie mit dem Programmpaket WIEN97 ergeben einen EFG von V_ZZ=-19,6· 10²¹ Vm⁻² und η=0 bei einer Verlagerung des benachbarten Indiumatoms von 0,13 nm.

[1] J. Dabrowski, M.  Scheffler, Mat. Sci. For. 83-87, pp. 735-750 (1992)