Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.55: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Optische Phononen und elektrische Eigenschaften poröser GaP-Membranen — •Jochen Monecke1, Gert Irmer1, Andrei Sarua1,2, Ivan Tiginyanu2, Günter Gärtner3 und Hans L Hartnagel4 — 1Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, Bernhard-von-Cotta-Str. 4, D-09596 Freiberg — 2LLDSS, Technical University of Moldova, Bd. Stefan cel Mare 168, MD-2004 Chisinau, Moldova — 3Institut für Experimentelle Physik, TU Bergakademie Freiberg, Silbermannstr. 8, D-09596 Freiberg — 4Institut für Hochfrequenztechnik, TU Darmstadt, D-64283 Darmstadt
Aus (100)- und (111)- orientierten GaP LEC-Kristallen wurden
durch elektrochemisches Ätzen poröse Membranen hergestellt
und mittels Mikroraman- und Infrarotfourier- (IR-FT)
Spektroskopie sowie Hallmessungen untersucht. Aus SEM-Aufnahme
wurden Porendurchmesser und -abstände von ca. 50 nm ermittelt.
Raman-Messungen zeigen zwischen den TO- und LO- Phononenmoden
zusätzliche sogenannte Fröhlich-Moden, deren Frequenz von der
Dielektrizitätskonstante des die Poren füllenden Mediums
abhängt. Mittels IR-FT Spektroskopie wurde die LO-TO-Ausspaltung
der Fröhlich-Mode beobachtet. Durch Hallmessungen sowie
Raman-Messungen an gekoppelten LO-Phonon-Plasmon-Moden wurden
die elektrische Eigenschaften der porösen Membranen bestimmt
und mit Berechnungen des Ladungsträgerprofils des GaP-Skeletts
durch Lösung der Poisson-Gleichung verglichen.