DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.6: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Thermochemie von Sauerstoff und Kohlenstoff in SiO2 — •C. Köhler, Z. Hajnal und Th. Frauenheim — Universität Paderborn, Fachbereich Theoretische Physik, 33095 Paderborn

Die Oxidation von SiC ist für die Herstellung von Halbleiterbauelementen von großer technologischer Relevanz. Dabei treten jedoch Probleme mit der Qualität der aufgewachsenen SiO2-Schichten auf. Insbesondere wurden Kohlenstoffinseln an der SiC-SiO2-Grenzschicht gefunden [1].

Um die in der SiO2 Schicht ablaufenden Prozesse besser zu verstehen wurden von uns Berechnungen zu verschiedenen interstitiellen Defekten und Gitterdefekten von Kohlenstoff und Sauerstoff in α-Quarz durchgeführt. Außerdem konnten einige Diffusionsbarrieren für den Transport der oben genannten Substanzen in α-Quarz-SiO2 als Modellsubstanz bestimmt werden. Die Rechnungen wurden im Rahmen des ladungsselbstkonsistenten dichtefunktional basierten Tight-Binding-Verfahrens (SCC-DFTB) [2] durchgeführt.

[1] V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, M. Schulz phys. stat. sol. (a) 162 (1997) p. 321

[2] M. Elstner et.al., Phys. Rev. B 58 (1998) pp. 7260–7268

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg