Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.6: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Thermochemie von Sauerstoff und Kohlenstoff in SiO₂ — •C. Köhler, Z. Hajnal und Th. Frauenheim — Universität Paderborn, Fachbereich Theoretische Physik, 33095 Paderborn

Die Oxidation von SiC ist für die Herstellung von Halbleiterbauelementen von großer technologischer Relevanz. Dabei treten jedoch Probleme mit der Qualität der aufgewachsenen SiO₂-Schichten auf. Insbesondere wurden Kohlenstoffinseln an der SiC-SiO₂-Grenzschicht gefunden [1].

Um die in der SiO₂ Schicht ablaufenden Prozesse besser zu verstehen wurden von uns Berechnungen zu verschiedenen interstitiellen Defekten und Gitterdefekten von Kohlenstoff und Sauerstoff in α-Quarz durchgeführt. Außerdem konnten einige Diffusionsbarrieren für den Transport der oben genannten Substanzen in α-Quarz-SiO₂ als Modellsubstanz bestimmt werden. Die Rechnungen wurden im Rahmen des ladungsselbstkonsistenten dichtefunktional basierten Tight-Binding-Verfahrens (SCC-DFTB) [2] durchgeführt.

[1] V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, M. Schulz phys. stat. sol. (a) 162 (1997) p. 321

[2] M. Elstner et.al., Phys. Rev. B 58 (1998) pp. 7260–7268