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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.5: Talk

Thursday, March 30, 2000, 17:00–17:15, H15

Quantitative Analyse der RDS/RAS Spektren von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow1, D. E. Aspnes2, R. Goldhahn1, O. Ambacher3, J. A. Schaefer1 und M. Stutzmann31TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — 2NCSU, Phys. Dept., Raleigh, USA — 3Walter Schottky Institut, TU München, Garching

Optische Methoden sind interessant für die Charakterisierung von Heterostrukturen, da sie z. B. eine Echtzeitkontrolle des Schichtwachstums und der Prozessierung der Schichten erlauben. Die quantitative Analyse der linear-optischen Daten von hexagonalen Gruppe-III-Nitrid Schichten ist eine große Herausforderung. Die Komponenten des dielektrischen Tensors є und є für parallel und senkrecht zur c-Achse polarisiertem Licht sind für die meisten Verbindungen nicht (genau) bekannt und eine ganze Reihe von Effekten muß berücksichtigt werden. In diesem Beitrag zeigen wir, daß mit Reflexions-Differenz/Anisotropie-Spektroskopie (RDS/RAS) gemessene Spektren für auf c-plane Saphir und 6H-SiC abgeschiedene AlxGa1−xN-Schichten quantitativ verstanden werden können, wenn man i) eine Verkippung der c-Achse, ii) eine anisotrope Rauhigkeit der Schichten, die mit Stufen assoziert ist, iii) und eine anisotrope Verspannung der Schichten in Betracht zieht.

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