Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.37: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Nitridation von AIII-BV Halbleiteroberflächen mittels N2+-Bombardement. — •Jan-David Hecht, Frank Frost, Dietmar Hirsch, Horst Neumann, Axel Schindler und Frieder Bigl — Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, 04318 Leipzig
Die Nitridation von In-haltigen AIII-BV
Halbleitern (InAs, InP, InSb) beim niederenergetischen
Beschuß mit Stickstoffionen bei Raumtemperatur wurde in
Abhängigkeit der Prozeßparameter Ioneneinfallswinkel
(0 - 90∘) und Ionenenergie (50 - 500 eV) untersucht. Mittels
Photoelektronenspektroskopie (XPS) wurden die Zusammensetzungen
und chemischen Bindungsverhältnisse der Oberflächen bestimmt.
Unabhängig von Inonenenergie und Einfallswinkel konnte die
Ausbildung einer In-Nitridschicht beobachtet werden.
Zusätzlich wurden bei InP P-N-Bindungen nachgewiesen. Die
erhaltenen Ergebnisse wurden mit unbehandelten und
Ar+-gesputterten Substratoberflächen verglichen. Um eine
Information *ber die Dicke der Nitridschicht respektive die
Bindungsverhältnisse in tieferliegenden Schichten zu erhalten,
wurden Tiefenprofile erstellt. Hierzu benutzten wir
niederenergetisches Ar+-Ionensputtern. In Ergänzung der
XPS-Untersuchungen wurden die optischen und elektronischen
Eigenschaften der modifizierten Oberflächen mittels
spektroskopischer Ellipsometrie (in und ex situ) sowie
Ramanspektroskopie untersucht.