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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.37: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Nitridation von A_III-B_V Halbleiteroberflächen mittels N₂⁺-Bombardement. — •Jan-David Hecht, Frank Frost, Dietmar Hirsch, Horst Neumann, Axel Schindler und Frieder Bigl — Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, 04318 Leipzig

Die Nitridation von In-haltigen A_III-B_V

Halbleitern (InAs, InP, InSb) beim niederenergetischen

Beschuß mit Stickstoffionen bei Raumtemperatur wurde in

Abhängigkeit der Prozeßparameter Ioneneinfallswinkel

(0 - 90^∘) und Ionenenergie (50 - 500 eV) untersucht. Mittels

Photoelektronenspektroskopie (XPS) wurden die Zusammensetzungen

und chemischen Bindungsverhältnisse der Oberflächen bestimmt.

Unabhängig von Inonenenergie und Einfallswinkel konnte die

Ausbildung einer In-Nitridschicht beobachtet werden.

Zusätzlich wurden bei InP P-N-Bindungen nachgewiesen. Die

erhaltenen Ergebnisse wurden mit unbehandelten und

Ar⁺-gesputterten Substratoberflächen verglichen. Um eine

Information *ber die Dicke der Nitridschicht respektive die

Bindungsverhältnisse in tieferliegenden Schichten zu erhalten,

wurden Tiefenprofile erstellt. Hierzu benutzten wir

niederenergetisches Ar⁺-Ionensputtern. In Ergänzung der

XPS-Untersuchungen wurden die optischen und elektronischen

Eigenschaften der modifizierten Oberflächen mittels

spektroskopischer Ellipsometrie (in und ex situ) sowie

Ramanspektroskopie untersucht.