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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.52: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Korrelation von optischen und Transport-Eigenschaften in Halbleiter Heterostrukturen — •L. Gottwaldt1,2, W. Stolz1, S. Leu1, E.O. Göbel2, F. J. Ahlers2, K. Pierz2 und G. Hein21WZMW und FB Physik, Philipps-Universität Marburg — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig

Unordnung in Halbleiterstrukturen beeinflußt in charakteristischer Weise sowohl die optischen Eigenschaften als auch die elektronischen Transporteigenschaften. Die Untersuchungen der Korrelation dieser Eigenschaften werden an modulationsdotierten Quantenfilmen mit einem aufgedampften Schottky-Kontakt durchgeführt. Durch Anlegen einer Spannung an diesem Kontakt ist eine systematische Variation der Ladungsträgerdichte im Quantenfilm möglich, so daß einerseits optische Experimente im exzitonischen Bereich (quasi undotierte Schichten) und andererseits Magnetotransportmessungen (Schubnikov-de Haas- und Quanten-Hall-Effekt) an ein und derselben Struktur möglich sind.
Eine systematische Änderung charakteristischer, die Unordnung bestimmender Parameter einer solchen Struktur (z.B. Komposition, Abscheidebedingungen während der Epitaxie usw.) ermöglicht quantitative Aussagen über ihren Einfluß sowohl auf die optischen als auch auf die Transport-Eigenschaften. Wir berichten über die sich aus dem Experiment ergebende Korrelation zwischen optischen Eigenschaften (Linienbreite, Stokes Verschiebung), elektronischen Transporteigenschaften (Breite des Quanten-Hall-Plateaus) und Ladungsträgerkonzentrationen. Gestützt wird die Interpretation durch mikroskopische Untersuchungen der betreffenden Grenzflächen.

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