Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.52: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Korrelation von optischen und Transport-Eigenschaften in Halbleiter Heterostrukturen — •L. Gottwaldt1,2, W. Stolz1, S. Leu1, E.O. Göbel2, F. J. Ahlers2, K. Pierz2 und G. Hein2 — 1WZMW und FB Physik, Philipps-Universität Marburg — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig
Unordnung in Halbleiterstrukturen beeinflußt in charakteristischer
Weise
sowohl die optischen Eigenschaften als auch die elektronischen
Transporteigenschaften. Die Untersuchungen der Korrelation dieser
Eigenschaften werden an modulationsdotierten Quantenfilmen mit
einem aufgedampften Schottky-Kontakt durchgeführt. Durch Anlegen
einer Spannung an diesem Kontakt ist eine systematische Variation
der Ladungsträgerdichte im Quantenfilm möglich, so daß
einerseits optische Experimente im exzitonischen Bereich (quasi
undotierte Schichten) und andererseits Magnetotransportmessungen
(Schubnikov-de Haas- und Quanten-Hall-Effekt) an ein und derselben
Struktur möglich sind.
Eine systematische Änderung
charakteristischer, die Unordnung bestimmender Parameter einer
solchen Struktur (z.B. Komposition, Abscheidebedingungen während
der Epitaxie usw.) ermöglicht quantitative Aussagen über ihren
Einfluß sowohl auf die optischen als auch auf die
Transport-Eigenschaften. Wir berichten über die sich aus dem
Experiment ergebende Korrelation zwischen optischen Eigenschaften
(Linienbreite, Stokes Verschiebung), elektronischen
Transporteigenschaften (Breite des Quanten-Hall-Plateaus) und
Ladungsträgerkonzentrationen. Gestützt wird
die Interpretation durch mikroskopische Untersuchungen der
betreffenden Grenzflächen.