Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: Quantendr
ähte
HL 9.10: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 18:45–19:00, H15
Erste Schritte zur Nanostrukturierung von schichtkompensierten, modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren — •D. Kähler1, U. Kunze1, D. Reuter2 und A. D. Wieck2 — 1Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150 IC2, D-44780 Bochum — 2Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 NB03, D-44780 Bochum
Bei einem konventionellen modulationsdotierten Feldeffekttransistor (MODFET) bewirkt ein Abätzen der Oberfläche (Recess) eine Verarmung des Elektronenkanals. Durch ein verändertes Schichtdesign – mit einer p-dotierten Deckschicht – kann durch das Abätzen des p-dotierten Bereichs eine Anreicherung der Elektronendichte erzielt werden. Die Schwellenspannung eines solchen Transistors mit Recess liegt um 0.3 V niedriger als die eines MODFET mit intakter Kompensationsschicht.
Durch eine Nanostrukturierung der Deckschicht ist es nun möglich, eine lokale Potentialmodulation im Bereich des Kanals zu erzielen, deren Auswirkungen im Leitwert beobachtet werden können. Die ersten experimentellen Ergebnisse auf dem Weg zum Quantendraht werden vorgestellt.