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O: Oberflächenphysik

O 10: Rastersondentechniken (I)

O 10.3: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 16:45–17:00, H44

Untersuchung des Tunnelstromrauschens unter Normalbedingungen — •Markus Lackinger¹, Falk Müller², Frank Demming³, Anne-D. Müller² und Michael Hietschold² — ¹FH München, FB 06, 80335 München — ²TU Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz — ³FH Münster, Münster

Das Rauschen des Tunnelstromes im STM wird sowohl durch die elektronischen Eigenschaften von Spitze und Probe als auch durch die geometrische Form der Spitze beeinflust. Deshalb sollte es durch die Analyse des Tunnelstromrauschens gelingen, zusätzliche Informationen über die elektronischen Eigenschaften einer Oberfläche zu gewinnen. Mit diesem Ziel werden die Rauscheigenschaften eines Tunnelmikroskopes analysiert sowie typische Abhängigkeiten extrahiert. Für die Untersuchungen werden Spitzen verwendet, deren Geometrie möglichst gut bekannt ist. Es werden Rauschspektren verschiedener Tunnelparameter verglichen sowie ein spezielles experimentelles Verfahren vorgestellt, mit dem es gelingt, die Abhängigkeit der Rauschamplitude von der Tunnelspannung näher zu untersuchen.