Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 10: Rastersondentechniken (I)
O 10.3: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 16:45–17:00, H44
Untersuchung des Tunnelstromrauschens unter Normalbedingungen — •Markus Lackinger1, Falk Müller2, Frank Demming3, Anne-D. Müller2 und Michael Hietschold2 — 1FH München, FB 06, 80335 München — 2TU Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz — 3FH Münster, Münster
Das Rauschen des Tunnelstromes im STM wird sowohl durch die elektronischen Eigenschaften von Spitze und Probe als auch durch die geometrische Form der Spitze beeinflust. Deshalb sollte es durch die Analyse des Tunnelstromrauschens gelingen, zusätzliche Informationen über die elektronischen Eigenschaften einer Oberfläche zu gewinnen. Mit diesem Ziel werden die Rauscheigenschaften eines Tunnelmikroskopes analysiert sowie typische Abhängigkeiten extrahiert. Für die Untersuchungen werden Spitzen verwendet, deren Geometrie möglichst gut bekannt ist. Es werden Rauschspektren verschiedener Tunnelparameter verglichen sowie ein spezielles experimentelles Verfahren vorgestellt, mit dem es gelingt, die Abhängigkeit der Rauschamplitude von der Tunnelspannung näher zu untersuchen.