Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.12: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Wachstumskinetik von CaF₂/Si(111) im Submonolagenbereich — •M. Bierkandt, J. Hernandez-Toro, J. Wollschläger und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover

Mithilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) wird die Wachstumskinetik des heteroepitaktischen Systems CaF₂/Si(111) im Submonolagenbereich untersucht. Der Nukleationstheorie folgend wird die Diffusionsbarriere von CaF₂ auf Si(111) über die Temperaturabhängigkeit der CaF₂-Inseldichte bestimmt[1].
Auf vicinalen Substraten gewinnt die Stufennukleation mit steigender Temperatur immer mehr an Einfluß. Dies ermöglicht die Berechnung der Diffusionsbarriere aus der Übergangstemperatur Terrassennukleation ↔ Stufennukleation. Dazu wird ein Modell, das über eine nichtlineare Diffusionsgleichung diesen Übergang in der Homoepitaxie beschreibt[2], allgemein für die Heteroepitaxie erweitert und auf das System CaF₂/Si(111) angewendet. Hierbei ist neben der Temperatur die Terrassenbreite ein wesentlicher Parameter. Beide Modelle zeigen unabhängig voneinander, daß die Diffusionsbarriere von CaF₂/Si(111) 1.6 eV beträgt.

[1] J.A. Venables, G.D.T. Spiller and M. Hanbücken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984)

[2] A. Myers-Beaghton and D.D. Vvedensky, Phys. Rev. B 42, 5544 (1990)