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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.30: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

HREELS-Untersuchungen an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster¹, F.S. Tautz¹, V. Polyakov¹, H. Ibach² und J.A. Schaefer¹ — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik,PF 100565 , D-98684 Ilmenau — ²Forschungszentrum Jülich, IGV, D-52425 Jülich

Wir haben mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie (HREELS) den Einfluß der Dotierung und der Temperatur auf die gekoppelten, kollektiven Anregungen der optischen Oberflächenphononen (Fuchs-Kliewer-Phononen) und Oberflächenplasmonen der Leitungsbandelektronen in Abhängigkeit von der Rekonstruktion (2×1) und c(2×2) untersucht. Durch Anpassung der elektronischen Parameter der SiC(100)-Oberfläche wie Oberflächenladungsdichte und Bandverbiegung werden aus selbstkonsistenten Elektronendichteprofilen im Rahmen der Dipolstreutheorie theoretische EELS-Spektren berechnet und mit den experimentellen Spektren verglichen. Differenzen zwischen gemessenen und gerechneten Spektren können dabei durch Modellierung eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) an der Oberfläche ausgeglichen werden. Weiterhin ist die Frequenz der gekoppelten Anregungen in Abhängigkeit von der Dotierung aus theoretischen Rechnungen bestimmt und mit den experimentellen Ergebnissen verglichen worden.
In Messungen bei tiefen Temperaturen nach Ausfrierung der freien Elektronen konnten in Einklang mit der jeweiligen Terminierung sowohl SiH Streckschwingungen als auch CH Streck-, Biege-, und Scherenschwingungen beobachtet werden.