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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.39: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Elektronische Struktur des Schichthalbleiters WS₂ — •J. Augustin¹, V. Eyert^2,3, R. Schardin¹, T. Stemmler¹, S. Rogaschewski¹, C. Janowitz¹ und R. Manzke¹ — ¹Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin — ²Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — ³Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstr. 1, 86135 Augsburg

Es wird ein Überblick über die Herstellung, Kristallstruktur und elektronische Struktur des Schichtkristalls WS₂ gegeben. Die kristallinen Eigenschaften sind zum einen mittels Röntgenstrahldiffraktometrie und zum anderen mit Hilfe der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) untersucht worden. Desweiteren ist die stöchiometrische Zusammensetzung der Proben mittels energiedispersiver Röntgenmikroanalyse (EDX) analysiert worden.
Die elektronische Eigenschaften von WS₂ sind sowohl experimentell als auch theoretisch betrachtet worden. Mittels winkelaufgelöster Photomissionsspektroskopie (ARPES) unter Zuhilfenahme variabler Photonenenergie als Anregungsenergie (Synchrotronstrahlung von DORIS III) konnte eine dreidimensionale Bandstruktur in den Meßrichtungen Γ A, Γ K und Γ M aufgenommen werden. Diese experimentellen Ergebnisse werden mit einer gerechneten Bandstruktur, die auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichteapproximation (LDA) basiert, verglichen. Insbesondere konnte in Übereinstimmung die Lage des Valenzbandmaximums am Γ-Punkt bestimmt werden.