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Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (II)

O 8.4: Talk

Monday, March 27, 2000, 17:00–17:15, H36

Druckabhängige Strukturen beim CVD-Wachstum von Ge auf Si(111) — •Hubert Rauscher, Jürgen Braun und R. Jürgen Behm — Abteilung Oberflächenchemie u. Katalyse, Universität Ulm, 89069 Ulm

Wir vergleichen das CVD-Wachstum von Ge auf

Si(111) mittels Monogerman (GeH4) als Precursor in zwei

Druckbereichen. Bei Partialdrücken im Bereich von

10−5 mbar findet das Wachstum durch Keimbildung auf den

Terrassen, an Domänengrenzen und, abhängig von ihrer

Orientierung, auch auf Stufenkanten statt. Das Filmwachstum ist

dabei nach 2.5 Doppellagen selbstlimitierend, da die

Dissoziationswahrscheinlichkeit der Germanmoleküle aufgrund der

sich aufbauenden Verspannung in der gewachsenen Schicht gegen Null

geht. Stranski-Krastanov-Wachstum von Ge ist jedoch nach

vorheriger Röntgenbestrahlung des Si-Substrats möglich, da

hierbei Volumendefekte erzeugt werden, die eine weitere

Dissoziation von Germanmolekülen auf der Oberfläche

ermöglichen. Die dabei sich bildenden dreidimensionalen Inseln

weisen je nach ihrer Größe unterschiedliche Formen auf. Bei

Drücken über 10−4 mbar beobachten wir jedoch Bereiche

mit nicht abgebautem Stapelfehler in der benetzenden Ge-Schicht,

auf denen Keime der dritten Ge-Doppellage nukleieren. Weiteres

Wachstum erfolgt durch Bildung dreidimensionaler Inseln.

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