Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien
SYGU 2: Hauptvorträge
Donnerstag, 30. März 2000, 15:15–18:00, H4
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15:15 | SYGU 2.1 | Hauptvortrag: Struktur- und Phasenbildung an Halbleitergrenzflächen — •Michael Seibt |
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15:45 | SYGU 2.2 | Hauptvortrag: Neuartige Methode zur strukturellen Untersuchung innerer Halbleiterheterogrenzflächen — •Wolfgang Stolz |
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16:15 | SYGU 2.3 | Hauptvortrag: Festkörperreaktionen an Metall-Silizid-Grenzflächen — •Hans-Jürgen Hinneberg |
16:45 | 15 min. break | ||
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17:00 | SYGU 2.4 | Dichtefunktionalstudie des “Titan-Effektes” an Metall/Keramik-Grenzflächen — •C. Elsässer und S. Köstlmeier |
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17:15 | SYGU 2.5 | Densification of solution-grown ZrO2 thin films on organic templates — •K. Ritley, K. P. Just, F. Schreiber, H. Dosch, T. P. Niesen, and F. Aldinger |
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17:30 | SYGU 2.6 | Schwerioneninduzierter Atomtransport in Metall/SiC — •Ralf Nagel, K. Weyrich, D.H.H. Hoffmann, A.G. Balogh und H. Hahn |
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17:45 | SYGU 2.7 | Oberflächenspannungen smektischer Flüssigkristalle — •Ralf Stannarius und Heidrun Schüring |