Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien

SYGU 2: Hauptvorträge

Donnerstag, 30. März 2000, 15:15–18:00, H4

	15:15	SYGU 2.1	Hauptvortrag: Struktur- und Phasenbildung an Halbleitergrenzflächen — •Michael Seibt
	15:45	SYGU 2.2	Hauptvortrag: Neuartige Methode zur strukturellen Untersuchung innerer Halbleiterheterogrenzflächen — •Wolfgang Stolz
	16:15	SYGU 2.3	Hauptvortrag: Festkörperreaktionen an Metall-Silizid-Grenzflächen — •Hans-Jürgen Hinneberg
	16:45		15 min. break
	17:00	SYGU 2.4	Dichtefunktionalstudie des “Titan-Effektes” an Metall/Keramik-Grenzflächen — •C. Elsässer und S. Köstlmeier
	17:15	SYGU 2.5	Densification of solution-grown ZrO2 thin films on organic templates — •K. Ritley, K. P. Just, F. Schreiber, H. Dosch, T. P. Niesen, and F. Aldinger
	17:30	SYGU 2.6	Schwerioneninduzierter Atomtransport in Metall/SiC — •Ralf Nagel, K. Weyrich, D.H.H. Hoffmann, A.G. Balogh und H. Hahn
	17:45	SYGU 2.7	Oberflächenspannungen smektischer Flüssigkristalle — •Ralf Stannarius und Heidrun Schüring