Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen
SYIS 2: In-Situ-Charakterisierung: Modellbildung
Montag, 27. März 2000, 15:45–17:15, H 32
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15:45 | SYIS 2.1 | Hauptvortrag: Untersuchungen zum Energieeinstrom bei der plasmagestützten Schichtabscheidung — •H. Kersten, M. Otte, D. Rohde, H. Deutsch und R. Hippler |
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16:30 | SYIS 2.2 | Hauptvortrag: Modellierung und Experimente zu elementaren Wachstumsprozessen in Niederdruckplasmen — •A. von Keudell |