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DS: Dünne Schichten
DS 30: Schichteigenschaften VII
DS 30.3: Talk
Friday, March 30, 2001, 12:30–12:45, S 13/14
Laser induzierte Kristallisation amorpher Ge2Sb2Te5 — •Stefan Ziegler1,2, Volker Weidenhof1,2, Ingo Thomas1,2, Ines Friedrich1,2 und Matthias Wuttig1,2 — 1I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen — 2Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, FZ-Jülich
Das Kristallisationsverhalten dünner Ge2Sb2Te5 und Ge4Sb1Te5 Filme, die zur optischen Datenspeicherung auf der Basis von Phasenwechselmedien verwendet werden, wurde mittels Rasterkraftmikroskopie und optischer Reflektivitätsmessungen auf verschiedenen Zeitskalen untersucht. Das Ziel der Untersuchung ist die Bestimmung des Kristallisationsmechanismus.
Isotherme Messungen dienen dazu, die Temperaturabhängigkeit der Inkubationszeit zu messen, während die Untersuchung lokaler Laserkristallisation auf der ns-Zeitskala benutzt wurde, die minimale Kristallisationszeit amorpher Schichten zu bestimmen. Diese wird mit der Inkubationszeit identifiziert und zu 100 ns bzw. 380 ns für Ge2Sb2Te5 bzw. Ge4Sb1Te5 bestimmt. Die Kombination von optischen und AFM Messungen an aus der Flüssigkeit erstarrten amorphen Bereichen zeigt, dass die beiden untersuchten Legierungen unterschiedliche Nukleationsverhalten aufweisen.