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Mo, 09:30–10:15 |
S 5.1 |
DS 1: Oberfl
ächenmodifizierung I |
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Mo, 10:15–10:45 |
S 5.1 |
DS 2: Oberfl
ächenmodifizierung II |
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Mo, 11:00–12:15 |
S 5.1 |
DS 3: Schichteigenschaften I |
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Mo, 09:30–11:00 |
S 13/14 |
DS 4: Silicide I |
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Mo, 11:15–12:00 |
S 13/14 |
DS 5: Silicide II |
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Mo, 14:00–15:00 |
S 13/14 |
DS 6: Silicide III |
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Mo, 15:15–16:45 |
S 13/14 |
DS 7: Schichtwachstum I |
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Mo, 17:00–17:45 |
S 13/14 |
DS 8: Schutzschichten |
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Di, 09:30–11:00 |
S 5.1 |
DS 9: Laserverfahren I |
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Di, 11:15–12:30 |
S 5.1 |
DS 10: Laserverfahren II |
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Di, 09:30–10:15 |
S 13/14 |
DS 11: Schichtherstellung I |
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Di, 10:15–10:45 |
S 13/14 |
DS 12: Schichtherstellung II |
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Di, 11:00–12:00 |
S 13/14 |
DS 13: Schichtherstellung III |
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Di, 15:30–16:15 |
S 13/14 |
DS 14: Schichtwachstum II |
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Do, 09:30–10:15 |
S 5.1 |
DS 15: Ionenimplantation I |
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Do, 10:15–11:00 |
S 5.1 |
DS 16: Ionenimplantation II |
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Do, 11:15–12:15 |
S 5.1 |
DS 17: Ionenimplantation III |
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Do, 14:00–14:45 |
S 5.1 |
DS 18: Ionenimplantation IV |
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Do, 15:00–16:45 |
S 5.1 |
DS 19: Schichteigenschaften II |
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Do, 17:00–17:45 |
S 5.1 |
DS 20: Schichteigenschaften III |
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Do, 09:30–10:30 |
S 13/14 |
DS 21: Schichteigenschaften IV |
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Do, 10:45–11:45 |
S 13/14 |
DS 22: Schichteigenschaften V |
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Do, 14:00–14:45 |
S 13/14 |
DS 23: Spezielle Schichten I |
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Do, 14:45–16:00 |
S 13/14 |
DS 24: Spezielle Schichten II |
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Do, 16:15–17:30 |
S 13/14 |
DS 25: Spezielle Schichten III |
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Fr, 10:15–11:30 |
S 5.1 |
DS 26: c-BN |
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Fr, 11:30–12:15 |
S 5.1 |
DS 27: c-BN:X |
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Fr, 12:15–13:30 |
S 5.1 |
DS 28: Diamant, diamant
ähnliche Materialien |
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Fr, 10:15–11:45 |
S 13/14 |
DS 29: Schichteigenschaften VI |
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Fr, 12:00–13:30 |
S 13/14 |
DS 30: Schichteigenschaften VII |
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Di, 16:30–17:30 |
Foyer Saal 4 |
DS 31: Postersitzung |
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