DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.14: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Störstellencharakterisierung an AlGaN- Schichten mittels elektrischer und photoelektrischer Methoden — •Hartmut Witte1, Andre Krtschil1, Eike Schrenk1, Andy Kielburg1, Jürgen Bläsing1, Annette Diez1, Alois Krost1, Jürgen Christen1 und Michael Heuken21Institut für Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — 2Aixtron AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen

Mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphir abgeschiedene GaN-Schutzschicht / Al1−xGaxN-Schichten (x = 0 - 0.25, n =(1017- 7x1018) cm −3) wurden mit Hilfe der Methoden Thermische Admittanzspektroskopie, Thermisch Stimulierte Ströme und Deep Level Transient Spectroscopy untersucht. Neben zwei dominierenden Hochtemperaturtraps mit thermischen Aktivierungsenergien zwischen 300-500 meV wurden weitere flachere Störstellen nachgewiesen. Mittels optischer Absorptionsmessungen, Photoleitung und der optischer Admittanzspektroskopie wurden das optische Gap und die Störstellen- Band- Übergänge detailliert untersucht. Dabei treten Übergänge im Bereich EG-(300-400) meV auf, deren Eigenschaften mit denen der entsprechenden thermischen Emissionen gut korrelieren. Mit steigendem Al-Gehalt in den Schichten entsteht eine Raumladung in der GaN / AlGaN-Grenzfläche, deren Anteile durch spannungsabhängige Messungen getrennt werden können.

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2001 > Hamburg