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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.14: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Störstellencharakterisierung an AlGaN- Schichten mittels elektrischer und photoelektrischer Methoden — •Hartmut Witte¹, Andre Krtschil¹, Eike Schrenk¹, Andy Kielburg¹, Jürgen Bläsing¹, Annette Diez¹, Alois Krost¹, Jürgen Christen¹ und Michael Heuken² — ¹Institut für Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — ²Aixtron AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen

Mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphir abgeschiedene GaN-Schutzschicht / Al_1−xGa_xN-Schichten (x = 0 - 0.25, n =(10¹⁷- 7x10¹⁸) cm ⁻³) wurden mit Hilfe der Methoden Thermische Admittanzspektroskopie, Thermisch Stimulierte Ströme und Deep Level Transient Spectroscopy untersucht. Neben zwei dominierenden Hochtemperaturtraps mit thermischen Aktivierungsenergien zwischen 300-500 meV wurden weitere flachere Störstellen nachgewiesen. Mittels optischer Absorptionsmessungen, Photoleitung und der optischer Admittanzspektroskopie wurden das optische Gap und die Störstellen- Band- Übergänge detailliert untersucht. Dabei treten Übergänge im Bereich E_G-(300-400) meV auf, deren Eigenschaften mit denen der entsprechenden thermischen Emissionen gut korrelieren. Mit steigendem Al-Gehalt in den Schichten entsteht eine Raumladung in der GaN / AlGaN-Grenzfläche, deren Anteile durch spannungsabhängige Messungen getrennt werden können.