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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.29: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Untersuchung der Phononeneigenschaften von hochgradig ungeordnetem (Al_xGa_1−x)_0.52In_0.48P (0≤ x≤ 1) mittels Ferninfrarot Spektralellipsometrie und Ramanspektroskopie — •Tino Hofmann¹, Mathias Schubert¹, Gunnar Leibiger² und Volker Gottschalch² — ¹Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Festkörperphysik, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — ²Fakultät für Chemie und Mineralogie, Halbleiterchemie, Universität Leipzig, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig

Ferninfrarot-Spektralellipsometrie (100 µ m bis 15 µ m, FIR-SE) wird erstmalig und gemeinsam mit Ramanspektroskopie verwendet, um die Phononenmoden von hochgradig-ungeordneten und unverspannten (Al_xGa_1−x)_0.52In_0.48P Schichten im gesamten Kompositionsbereich x zu bestimmen. Die Frequenzen der longitudinal- und transversal-optischen AlP,- GaP,- und InP-artigen Moden werden aus den FIR-SE Spektren gewonnen. Im Ramanspektrum kann nur ein Teil der mittels FIR-SE bestimmten Phononen detektiert werden. Mit verändertem Al-Anteil zeigt sich ein Dreimodenverhalten wobei erstmalig die Frequenz der GaP-artigen TO-Mode bestimmt werden konnte. Außerdem werden mittels der FIR-SE zwei zusätzliche unpolare Phononenbänder detektiert. Das beobachteten Modenverhalten von beispielsweise Ga_0.52In_0.48P stimmt gut mit Ergebnissen neuer Superzellberechnungen^1,2 der Phononenzustandsdichte ungeordneter A^III-B^III-C^V Verbindungen überein.
V. Ozoliņč and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, R9404 (1998)
V. Ozoliņč and A. Zunger, Phys. Rev. B 62, xxxxx (2000)