Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.32: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Metallorganische Gasphasenepitaxie von GaNyP1−y — •Gunnar Leibiger1, Volker Gottschalch1, Reinhardt Schwabe2 und Gabriele Benndorf2 — 1Fakultät für Chemie und Mineralogie, Arbeitsgruppe Halbleiterchemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — 2Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Arbeitsgruppe Halbleiterphysik, Linnestr. 5, 04103 Leipzig
Mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) wurden pseudomorphe GaNyP1−y (y < 0.015) Epitaxieschichten auf (001) GaP-Substraten mit den Quellen TMGa, Phosphin und Dimethylhydrazin bei Züchtungstemperaturen von 600∘C abgeschieden. Die Stickstoff-Konzentration in den Schichten wurde mittels hochauflösender Doppelkristall-Diffraktometrie (HRXRD) bestimmt. Die optische Charakterisierung des Materials erfolgte durch Photolumineszenz-, Ellipsometrie-und Absorptionsuntersuchungen. Die spektroskopische Ellipsometrie-untersuchter Spektralbereich von 0.75 eV bis 4.5 eV-zeigt eine Blauverschiebung des E1 Punktes mit der N-Konzentration. Im fern-infraroten Spektralbereich (100 bis 600 cm−1) zeigen die GaNP-Schichten ein 2-Moden Phononen-Verhalten, was einer GaP-und einer GaN-artigen Gitterresonanz entspricht. Aus Tieftemperatur-Transmissionsmessungen ergeben sich bis zu einer N-Konzentration von 0.006 lokalisierte Störstellenniveaus von verschiedenen NNi Zentren, welche bei höherem N-Gehalt in ein Störstellenband übergehen. Störband-Lumineszenz konnte bei T = 2K nachgewiesen werden.