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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.9: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Photolumineszenzmessungen an Emissionen homogen verteilter Volumendefekte, die im Rahmen der Nuklearen Transmutationsdotierung durch Neutronen induziert wurden. — •Horst Sadowski, Hans Heissenstein und Reinhard Helbig — Lehrstuhl f. Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg
Es wurden niedrig dotierte (ND-NA 1015 cm−3) 4H und 6H SiC
Epitaxieschichten mit einer Dicke von 10 - 50µm auf hoch
dotierten Substraten (ND-NA 1018 cm−3) zur
Dotierung mit Phosphor mit annähernd rein thermischen
Neutronenflüssen bestrahlt. Die Fluence thermischer Neutronen
lag bei 1-4 x 1019 cm−2 während die Fluence
schneller Neutronen etwa 1016 cm−2 betrug (bei
Fluencen ab ca. 1018 cm−2 sind diese allein für
die Schädigung verantwortlich (1)). An diesen Proben
wurden Tief-Temperatur-Photolumineszenzmessungen (TTPL) nahe der
Bandkante bei ca. 2 K und im nahen IR bei ca 20K nach der
Bestrahlung und nach Ausheilschritten ab 600∘C
durchgeführt. Bei den TTPL-Messungen im sichtbaren Bereich
wurde eine Vielzahl von Linien gefunden (ähnlich nach
Elektronenbestrahlungen (2)) bis bei Temperaturen über
1000∘C die von implantierten Proben bekannten Emissionen
gemessen wurden. Im IR-Bereich wurden zusätzlich einige
bisher nicht beobachtete Emissionslinien gemessen.
(1) H. Heissenstein, H. Sadowski, R. Helbig, Mat. Sci. For., Vol. 338-342,
2000, 853
(2) T. Egilsson, J.P. Bergman, I.G. Ivanov, A. Henry, E. Janzen, Phys.
Rev., Vol. B59, 1999, 1956