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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: GaN III

Friday, March 30, 2001, 11:30–13:15, S2

11:30 HL 43.1 Einfluss der Inselkoaleszenz auf die Verspannung von GaN Schichten — •Tim Böttcher, Sven Einfeldt, Stephan Figge, Rosa Chierchia, Heidrun Heinke, Detlef Hommel und James S. Speck
11:45 HL 43.2 Theoretische Untersuchung von 60-Versetzungen in GaN und deren Dissoziation. — •Alexander Blumenau, Robert Jones, Malcolm Heggie und Thomas Frauenheim
12:00 HL 43.3 Fernfeld-Untersuchungen an (In)GaN MQW-Laserdioden — •V. Kümmler, G. Brüderl, S. Bader, A. Weimar, A. Lell und V. Härle
12:15 HL 43.4 Ga(In,Al)N - basierende Halbleiterlaserdioden — •A. Weimar, A. Lell, S. Bader, H.-J. Lugauer, G. Brüderl, V. Kümmler und V. Härle
12:30 HL 43.5 Theoretische Erwartungen an Nitride-HFETs mit polarisationsinduzierten Ladungsträgergasen — •G. Zandler, J. A. Majewski und P. Vogl
12:45 HL 43.6 Optimierung von AlGaN Volumenschichten und Übergitterstrukturen mittels MOVPE — •Marc Diesselberg, Sven Einfeldt, Stefan Figge, Tim Böttcher und Detlef Hommel
13:00 HL 43.7 Transporteigenschaften von zweidimensionalen Elektronengasen in AlGaN/GaN-Heterostrukturen — •Angela Link, O. Ambacher, Y. Smorchkova, J. Speck und M. Stutzmann
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