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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.17: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Heteroepitaxie von II-VI-Verbindungshalbleitern auf Silizium und Germanium — •F. Reuss1, W. Weigand2, L.H. Hansen1, G. Schmidt1, E. Umbach2, A. Waag3 und L.W. Molenkamp11Exp. Physik III, Universität Würzburg — 2Exp. Physik II, Universität Würzburg — 3Abteilung für Halbleiterphysik, Universität Ulm

Gruppe IV-Halbleiter weisen aufgrund der im Kristall vorhandenen Inversionssymmetrie besonders hohe Spin-Relaxationszeiten auf. Um diese Eigenschaft in Transportexperimenten zu nutzen, wird das Wachstum von semimagnetischen II-VI-Verbindungshalbleitern auf Si(100) und Ge(100) Substraten untersucht. Als II-VI-Material wurden Zn1−xBex(Mn)Se-Verbindungen verwendet. Durch entsprechende Einstellung des Be-Gehalts kann gitterangepasst auf Silizium- bzw. Germaniumsubstraten gewachsen werden. Kritisch bei der Epitaxie von Se-haltigen Verbindungshalbleitern auf Si(100) und Ge(100) ist der Wachstumstart. Um die Reaktion von Se mit Si bzw. Ge und die Entstehung einer amorphen SiSex bzw. GeSex Schicht zu vermeiden, wurden die Substrate mit As bzw. Te passiviert. Auf diese Weise präparierte Proben wurden eingehend mittels SPA-LEED charakterisiert. Für das anschliessende Wachstum von Zn1−xBexSe wurden verschiedene Startmethoden, unter anderem ein wenige ML dicker BeTe-Puffer sowie Zn-Vorbehandlung, untersucht. Im Hinblick auf zukünftige Experimente zur Spin-Injektion in SiGe-Strukturen wurde die n-Dotierbarkeit von ZnBeSe-Schichten in Abhängigkeit von der Be-Konzentration bestimmt.

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