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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.87: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Herstellung und Charakterisierung freitragender zweidimensionaler Elektronengase — •E. Höhberger1, J. Kirschbaum1, F.W. Beil1, R.H. Blick1, J.P. Kotthaus1, W. Wegscheider2 und M. Bichler31Sektion Physik und Center for Nanoscience, LMU München, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — 2Institut für angewandte und experimentelle Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — 3Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching

Freitragende zweidimensionale Elektronengase können in GaAs/AlGaAs Heterostrukturen, die über eine Al0.8Ga0.2As Opferschicht verfügen, hergestellt werden. Eine Kombination anisotroper und isotroper Ätzschritte dient der Definition der zu unterätzenden Struktur sowie der Entfernung der Opferschicht. Proben in Hallbar- und Quantendotgeometrie sind Gegenstand unserer Arbeit. In beiden Fällen kann das Elektronensystem durch Magnetotransportmessungen charakterisiert werden. Die beschriebenen Strukturen eignen sich zur Untersuchung der Wechselwirkungen in niedrigdimensionalen gekoppelten Elektron-Phonon-Systemen. Ferner bieten sie die Möglichkeit, die Antwort des Elektronensystems auf mechanische Verspannungen zu erforschen.

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