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Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.58: Poster

Monday, March 26, 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Wachstum ultradünner V-Filme auf Rh(111) — •C. Konvicka, E. Napetschnig, M. Schmid und P. Varga — Inst.f.allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstr. 8-10, A-1040 Wien, Austria

Adsorptions- bzw. Reaktionsprozesse an bimetallischen Oberflächen hängen sehr stark von der Zusammensetzung bzw. der chemischen Ordnung der jeweiligen Oberflächenlegierung ab. Um die Oberflächenstruktur des Systems V/Rh(111) genau zu untersuchen, wurden ultradünne V-Filme bei RT auf eine Rh(111) Oberfläche aufgedampft und die Probe anschließend bis auf eine Temperatur von 600C geheizt. Mit Hilfe von Scanning Tunneling Microscopy (STM), Auger Electron Spectroscopy (AES) und Low Energy Ion Scattering (LEIS) wurde die Bildung einer V/Rh-Legierung untersucht. Es hat sich gezeigt, daß der V/Rh Austauschprozeß an der Oberfläche erst bei einer Temperatur von 400C stattfindet. Höhere Temperaturen führen zur Diffusion der V-Atome unter die Oberfläche und zur Bildung einer subsurface-Legierung. Die V-Atome bilden dabei sowohl in der Oberflächen- als auch in der subsurface-Legierung eine lokale (2x2)-Struktur.

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