Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW I: HV I

Donnerstag, 29. März 2001, 15:30–16:00, B

	15:30	SYRW I.1	Hauptvortrag: III-V Halbleitergrenzflächen: Ihre Bedeutung für Technologie und Bauelemente — •Hans Lüth