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DS: Dünne Schichten

DS 11: Diamant und ta-C

DS 11.1: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 14:45–15:00, HS 31

Keimbildung von Diamant auf Iridium(001)-Oberflächen — •S. Gsell¹, T. Bauer¹, F. Hörmann¹, M. Schreck¹, H. Bielefeldt², C. Ziethen³ und B. Stritzker¹ — ¹Universität Augsburg, Lehrstuhl für Experimentalphysik IV, 86135 Augsburg — ²Universität Augsburg, Lehrstuhl für Experimentalphysik VI, 86135 Augsburg — ³Johannes Gutenberg Universität, Institut für Physik, 55099 Mainz

Die Keimbildung von Diamant auf Iridium(001)-Oberflächen im Mikrowellenplasma mit Hilfe der Gleichspannungs-unterstützten Keimbildung (BEN) führt neben Bildung isolierter Keime oft zu domänenartigen Bereichen extrem hoher Nukleationsdichte (10¹¹ cm⁻² epitaktische Kristallite). Unmittelbar nach dem BEN-Schritt zeigen diese Domänen einen extremen Kontrast im Sekundärelektronenmikroskop, der vom verwendeten Detektor abhängt und mit keiner nennenswerten topographischen Veränderung verbunden ist. Während sich die Domänen bei der Analyse mittels Electron Backscatter Diffraction (EBSD) nicht von ihrer Umgebung unterscheiden, zeigen Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) Messungen eine erniedrigte Austrittsarbeit. Mittels XANES-Spektroskopie (X-ray Absorption Near Edge Structure) mit hoher lateraler Auflösung konnte die Bindungsstruktur des Kohlenstoff in diesen Bereichen analysiert werden. Mechanismen der Diamantkeimbildung auf Iridium werden auf der Basis der verschiedenen Messergebnisse diskutiert.