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Mo, 10:15–11:00 |
HS 31 |
DS 1: Elektrische und optische Eigenschaften I |
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Mo, 11:00–12:30 |
HS 31 |
DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II |
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Mo, 14:00–14:45 |
HS 31 |
DS 3: Schichtwachstum: Modellierung |
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Mo, 15:00–15:30 |
HS 31 |
DS 4: Prozeßcharakterisierung |
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Mo, 10:15–11:00 |
HS 32 |
DS 5: Strukturbildung und -chararkterisierung I |
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Mo, 11:15–12:15 |
HS 32 |
DS 6: Strukturbildung und -chararkterisierung II |
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Di, 09:30–10:15 |
HS 31 |
DS 7: c-BN I |
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Di, 10:30–11:30 |
HS 31 |
DS 8: c-BN II |
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Di, 11:45–12:30 |
HS 32 |
DS 9: SYPO Kurzvortr
äge |
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Mi, 14:00–14:45 |
HS 31 |
DS 10: Diamant |
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Mi, 14:45–15:30 |
HS 31 |
DS 11: Diamant und ta-C |
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Mi, 15:45–16:30 |
HS 31 |
DS 12: Schichteigenschaften I |
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Mi, 16:30–17:00 |
HS 31 |
DS 13: Schichteigenschaften II |
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Mi, 14:00–15:00 |
HS 32 |
DS 14: organische Schichten |
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Mi, 15:15–16:15 |
HS 32 |
DS 15: Ionenimplantation: Erzeugung, Nachweis und Ausheilung von Defekten |
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Mi, 16:30–17:15 |
HS 32 |
DS 16: Ionenimplantation: Defect Engineering in Si / SiGe |
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Do, 09:30–10:15 |
HS 31 |
DS 17: Schichtherstellung I |
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Do, 10:15–10:45 |
HS 31 |
DS 18: Schichtherstellung II |
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Do, 11:00–11:45 |
HS 31 |
DS 19: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl
ächenmodifizierung I |
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Do, 11:45–12:30 |
HS 31 |
DS 20: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl
ächenmodifizierung II |
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Do, 14:00–14:45 |
HS 31 |
DS 21: Multilayer I |
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Do, 15:00–15:45 |
HS 31 |
DS 22: Multilayer II |
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Do, 09:30–10:15 |
HS 32 |
DS 23: Ionenimplantation: Ionenstrahlmischen |
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Do, 10:30–11:45 |
HS 32 |
DS 24: Ionenimplantation: Nanocluster- und Schichtsynthese |
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Do, 13:30–15:00 |
HS 32 |
DS 25: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil I |
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Do, 15:30–17:30 |
HS 32 |
DS 26: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil II |
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Di, 15:30–17:30 |
Poster Physik B |
DS 27: Postersitzung |
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